El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.
El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.
El InP tiene una banda prohibida directa, a diferencia del arseniuro de galio, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.
Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 ángstroms
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