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Isamu Akasaki



Isamu Akasaki (赤崎 勇 Akasaki Isamu?) (Chiran (luego fusionada a Minamikyūshū), Prefectura de Kagoshima, 30 de enero de 1929-Nagoya, 1 de abril de 2021)[1]​ fue un ingeniero electrónico y científico japonés, profesor emérito de la Universidad de Nagoya. En 2014 recibió el Premio Nobel de Física, junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano, «por la invención de eficientes diodos de emisión de luz azules, que han hecho posibles las fuentes de luz blanca brillantes y de bajo consumo»,[2][3]​ y la Medalla Edison IEEE en 2011.[4][5]

En 1952 se graduó en la Universidad de Kioto, en ingeniería electrónica, obteniendo un M.Sc. en la misma materia en 1964. Comenzó trabajando con LED de luz azul de NGa a finales de los 60. Con su labor, fue mejorando la calidad de los cristales de GaN y su electrónica[6]​ en el Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.(MRIT), donde se decidió a adoptar la deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos (MOVPE) como método preferido de crecimiento para el GaN. En esa etapa, coinventó el primer LED GaN de alto brillo.

En 1981 inició de nuevo los procesos de crecimiento de GaN por MOVPE en la Universidad de Nagoya (estatal), y en 1985, con su grupo, tuvo éxito en el crecimiento de GaN de alta calidad sobre sustrato de zafiro por la tecnología de capa amortiguadora pionera de baja temperatura (LT).[7][8]

En 2014 le fue concedido el Premio Nobel de Física junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano.[2]



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