DDR3 SDRAM (de las siglas en inglés, Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas desde principios de 2011.
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 GiB a 8 GiB, siendo posible soportar módulos de hasta 16 GiB.
Los DDR3 tienen 240 pines al igual que DDR2 pero los DIMM son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de lectura o escritura en la unidad a 8 bits por ciclo. Esto permite otra duplicación de la velocidad de bus sin tener que cambiar la velocidad de reloj de las operaciones internas. Para mantener las transferencias de 800-1600 Mb/s, la matriz RAM interna tiene que realizar sólo 100-200 millones de accesos por segundo.
Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexa-Core (2,4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.
Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.
En 2005, Samsung anunció un chip prototipo de 512 MiB (denominado "512 MB") a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 o los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.
En 2008, Kingston Technology lanzó los primeros módulos de memoria a 2GB, para plataformas Intel Core i7 (Nehalem y Bloomfield ).
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (1600 a 4400 MHz en comparación con DDR3 de 800Mhz a 2.133MHz), la tensión es también menor a sus antecesoras (1,35 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 o ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".
Aunque es compatible con la especificación, los DDR3L (PC3L o SoDIMM) operan a un voltaje menor de 1,35 V y fue diseñado para los procesadoores de cuarta generación de Intel.
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